收藏本站
型号 IPD90P03P4-04
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
IPD90P03P4-04 PDF
代理商 IPD90P03P4-04
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.5 毫欧 @ 90A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 253µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 10300pF @ 25V
功率 - 最大 137W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPD90P03P4-04INDKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD90P03P4-04 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
IPD90P03P4-04 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
IPD90P03P4L-04 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
IPD90P03P4L-04 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
IPD90P03P4L-04 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
IPD90R1K2C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
IPD90R1K2C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
IPD90R1K2C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
IP-DC-SA Microsemi SoC HARDWARE IP DAUGHTER CARD
IPDH4N03LAG Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
IPDH4N03LAG Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
IPDH5N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPDH6N03LAG Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
IPDH6N03LAG Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
IP-ED8B10B Altera IP 8B10B ENCODER/DECODER
IPF04N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPF04N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPF05N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPF05N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPF06N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK